在近日举行的台积电2025年北美技术论坛上，SK海力士展示了其最新的DRAM内存产品阵容。其中，HBM领域表现尤为突出，作为首家实现16层键合的厂商，SK海力士带来了基于Advanced MR-MUF技术的16Hi HBM内存模型。此外，HBM3E和HBM4实物也首次亮相，HBM4支持16Hi堆叠，单堆栈容量达48GB，I/O速度为8.0Gbps，整体带宽高达2.0TB/s，逻辑裸片采用台积电先进制程。

在常规DIMM模组方面，SK海力士展示了多款高性能产品。RDIMM型号速率可达8000MT/s，涵盖64GB、96GB及256GB不同容量。针对服务器市场的MRDIMM，速度提升至12800MT/s，提供标准板型及高容量选项，最高支持256GB容量。这些新品展现了SK海力士在内存技术领域的持续突破与领先地位。