韩国媒体《hankooki》3日报道，SK海力士第六代10纳米级（1c nm）DRAM内存工艺良率已提升至约80%，较去年下半年的60%显著优化。业界普遍认为，DRAM良率达80%-90%即可投入量产，这意味着该技术即将满足大规模生产条件。

去年8月，SK海力士率先研发出基于1c nm制程的DDR5 DRAM，其生产率、速度和能效均优于前代技术。该工艺还将应用于LPDDR6、GDDR7等产品。不过，在高带宽内存（HBM）领域，SK海力士短期内仍将沿用成熟的1b nm工艺，今年量产的HBM4内存暂不升级至第六代制程。