SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存

DoNews6月8日消息,SK海力士8日宣布,已开始量产238层4D NAND闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前,公司于2022年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。

238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的176层提升了34%,成本竞争力得到了大幅改善。

此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特),比上一代的速度快50%。

并且也改善了约20%的读写性能,由此公司自信,可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。

SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后,首先向移动端产品供应238层NAND闪存,随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0*的PC固态硬盘(SSD)和数据中心级高容量固态硬盘产品等。

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