天眼查App显示，2025年4月22日，「一种低压域与超压域兼容的LDO电路」正式进入专利权的授权阶段。申请人为灿芯半导体（上海）股份有限公司，该项集成电路专利涉及低压域与超压域兼容的LDO电路技术领域。据专利信息显示，该发明实现了用低压器件满足超压需求的同时，确保低压下性能不衰减，达到显著优化的效果。发明人为倪灿灿、岳庆华、庄志青。 「本发明公开了一种低压域与超压域兼容的LDO电路，属于LDO电路技术领域，该LDO电路包括PMOS管P1~P14、NMOS管N1~N17、输入IB1和输出VOUT；其中，PMOS管P1~P4构成电流镜，NMOS管N5~N9为二极管连接的第一分压结构，NMOS管N16~N17为二极管连接的第二分压结构；NMOS管N14~N15和PMOS管P13在超压下分压，确保从电源AVDD到地GND没有MOS管有超压电压；同时NMOS管N14~N15和PMOS管P13在低压下不分压，不影响LDO电路的正常工作。本发明，用低压器件实现超压与低电压同时兼容的LDO结构，既能用低压器件实现超压的需求，又要满足低压下性能不衰减的要求。」

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