天眼查App显示，2025年4月22日，「一种改进HD-GIT结构的HEMT器件」正式进入专利公布阶段。申请人为江苏宏微科技股份有限公司，该项半导体器件专利涉及高耐压、低电流崩塌效应的HEMT器件设计。据专利信息显示，该技术能够显著优化栅极附近的表面陷阱和电荷积累问题，有效抑制电流崩塌效应并提升器件性能。发明人为刘毅、崔崧、戚丽娜、赵善麒。本发明通过在GaN层与势垒层之间形成异质结，并采用高K堆层接触连接第一栅极和第二栅极，源极、漏极与二维电子气通道之间形成欧姆接触，进一步优化了电力线分布并抑制电场峰值，满足器件耐高压要求，实现了性能的有效改善。

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