天眼查App显示，2025年4月22日，「深浅沟槽隔离结构与工艺」正式进入专利公布阶段。申请人为普冉半导体（上海）股份有限公司，该项集成电路制造专利涉及半导体器件的制造工艺。据专利信息显示，本发明通过优化刻蚀技术显著改善了器件质量，并实现了不同区域STI刻蚀后刻蚀停止层的高度一致，使后续氧化物填充和化学机械研磨工艺易于控制。发明人为薛小帅。

本发明具体包括以下步骤：提供衬底并在其表面沉积多功能层；对多功能层的部分区域通过光刻技术形成第一图案；利用第一图案进行第一次刻蚀，移除多功能层的部分材料并刻蚀衬底，形成浅沟槽结构，随后去除第一图案掩膜；对未刻蚀区域再次通过光刻技术形成第二图案；利用第二图案进行第二次刻蚀，将未刻蚀区域的多功能层移除至衬底表面，并去除第二图案掩膜；在多功能层的保护作用下，对已暴露区域进行第三次刻蚀，并加工至设计深度，最终形成具有不同深度的浅沟槽和深沟槽结构。

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