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合肥晶合集成电路股份有限公司于2025年4月18日公布了其发明专利“混合键合结构的制备方法及半导体器件”，该专利旨在提升半导体器件的混合键合良率，避免未键合区域和气泡的形成。
关键点：
- 主体单位： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 专利类型： 发明专利
- 申请时间： 2025年3月20日
- 公布时间： 2025年4月18日
- 核心内容： 提供一种混合键合结构的制备方法，通过两次化学机械研磨工艺及等离子体处理，优化金属引出结构与电介质层的结合性能。
- 技术优势： 避免键合过程中出现未键合区域和气泡，显著提高混合键合良率。
- 地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
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