天眼查App显示，导语：
泰科天润半导体科技（北京）有限公司的一项发明专利正式公布，涉及一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法。该技术旨在提升器件的反向耐压性能和可靠性。
关键点：
- 主体单位：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
- 专利类型：发明专利
- 公布时间：2025年4月18日
- 申请时间：2025年3月24日
- 核心内容：通过多步制备工艺，在碳化硅衬底上形成漏极金属层、漂移区、P型阱区、N型源区等结构，提供双重保护以增强器件可靠性。
- 地址：北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
- 专利号：CN202510347753.8
- 公开号：CN119855199A
如有进一步需求，可联系泰科天润或其代理机构福州市京华专利代理事务所。
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