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山东天岳先进科技股份有限公司于2025年4月15日公布了一项发明专利，涉及一种P型晶体及液相生长装置和方法。该专利旨在优化晶体生长技术，提升掺杂和电阻率的均匀性。
关键点：
- 专利名称： 一种P型晶体及液相生长装置和液相生长方法
- 申请时间： 2025年1月26日
- 公布时间： 2025年4月15日
- 核心技术： P型晶体包括碳化硅，Al元素掺杂浓度≥5E19cm⁻³，N元素掺杂浓度≤1E19cm⁻³，掺杂不均匀性＜10%，电阻率≤0.1Ω·cm
- 创新亮点： 液相生长装置设置挡板缩小蒸发空间，实现内循环与温度梯度控制，有效抑制蒸发并保持生长速度
- 申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
- 地址： 山东省济南市槐荫区天岳南路99号
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