天眼查App显示，导语：
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司与中芯国际集成电路制造（上海）有限公司联合申请的发明专利“存储器结构及其形成方法”于2025年4月15日正式公布。该专利旨在改善存储器的短沟道效应，提升性能。
关键点：
- 专利号： CN202311331623.2
- 公布时间： 2025年4月15日
- 申请人： 中芯国际（北京、上海）
- 核心技术： 提出一种通过增加有源层沟道长度来改善短沟道效应的方法，涉及垫层结构、浮栅和控制栅的设计。
- 地址： 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
如有疑问，可联系中芯国际进一步了解详情。
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