天眼查App显示，导语：上海川土微电子有限公司于2025年4月8日公布了一项发明专利，涉及一种双向栅控可控硅结构，旨在提高电流泄放能力。

关键点：
- 专利名称：一种双向栅控可控硅结构
- 专利号：CN202510004004.5
- 申请人：上海川土微电子有限公司
- 公布时间：2025年4月8日
- 发明人：郑瑞、沈国平、戴晨
- 技术亮点：通过集成栅控结构，优化载子运输路径，提升电流泄放性能。
- 地址：上海市青浦区徐泾镇高泾路599号18幢四层401室、五层501室
- 代理机构：上海申君律师事务所

该专利的公布标志着上海川土微电子在半导体技术领域的进一步创新。

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