天眼查App显示，导语： 北京天科合达半导体股份有限公司及其子公司新疆天科合达蓝光半导体有限公司发布一项发明专利，旨在通过优化坩埚设计提高碳化硅单晶生长过程中原料的利用率。

关键点：
- 事件类型： 专利公布
- 主体单位： 北京天科合达半导体股份有限公司
- 核心内容： 设计一种在坩埚内部放置多孔石墨件的方法，改善温场和流场，提升碳化硅粉料利用率。
- 申请时间： 2025年2月10日
- 公布时间： 2025年3月21日
- 专利号： CN202510145303.0
- 关键词： 碳化硅单晶、物理气相传输法、多孔石墨件
- 地址： 北京市大兴区丰远街1号院1号楼

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