SK海力士率先实现1c纳米DRAM量产,领跑内存技术新纪元

据韩媒MT报道,SK海力士近日成功完成了1c纳米制程DRAM的批量产品认证,多个批次的晶圆在质量和良率上均达到标准。预计SK海力士将在2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。这一进展标志着SK海力士在内存技术领域再次取得领先地位。

SK海力士在2024年8月末宣布成功开发1c纳米工艺的16Gb DDR5-8000 DRAM内存,从开发到量产仅用了约半年时间,符合行业新制程量产的时间表。目前,SK海力士的两大竞争对手三星电子和美光尚未官宣第六代10纳米级DRAM内存,这使得SK海力士在最新节点世代上占据了明显的先发优势。

此外,SK海力士表示,1c工艺技术将应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进的DRAM主力产品群,进一步巩固其在内存市场的领先地位。

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