天眼查App显示，海信家电集团股份有限公司近日公开了一种新型半导体装置及其制造方法，专利号为CN202411218892.2。该发明旨在提升半导体装置在不同电流工况下的性能表现。具体而言，该半导体装置包括基体、第一导电类型的漂移层、第二导电类型的基极层、沟槽以及两个不同离子掺杂浓度的集电极层。通过优化第一和第二集电极层的布局与掺杂浓度，实现了集电极注入效率的自调节，从而提高了关断dv/dt一致性，降低了关断损耗，并改善了正向导通压降和关断损耗之间的折中问题。这一创新有望显著提升半导体器件的工作效率和可靠性，具有重要的应用前景。该专利已于2025年1月10日公布。

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