天眼查App显示，苏州东微半导体股份有限公司于2024年9月29日公开了一项名为“一种IGBT器件的制造方法”的发明专利，专利号为CN202411371344.3。该专利由刘伟、王鹏飞、陈鑫和刘磊共同发明，属于IGBT器件技术领域。

该专利的核心技术在于通过倾斜和垂直的离子注入工艺，减少了制造过程中的光刻工艺次数，从而显著降低了IGBT器件的制造成本。具体步骤包括在n型半导体层内形成第一沟槽、N离子注入区、n型电荷存储区、n型源区，以及通过自对准工艺形成第一栅极和第二沟槽，最终在第二沟槽形成第二栅极，并在n型半导体层内形成p型体区。

苏州东微半导体股份有限公司位于江苏省苏州市苏州工业园区，此次专利的公开标志着该公司在IGBT器件制造技术领域取得了重要突破。该专利的公开日期为2024年12月31日，预计将对半导体行业产生深远影响。

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