天眼查App显示，苏州东微半导体股份有限公司于2024年9月29日公开了一项名为“IGBT器件的制造方法”的发明专利，专利号为CN202411371352.8。该专利由刘伟、王鹏飞、陈鑫和刘磊共同发明，属于IGBT器件技术领域。

该制造方法包括在n型半导体层内形成若干个第一沟槽，通过倾斜的离子注入形成沟道注入区和p型体区，通过垂直的离子注入形成n型电荷存储区，并通过自对准工艺形成第一栅极和第二沟槽。这一方法显著减少了IGBT器件制造过程中的光刻工艺次数，从而降低了制造成本。

苏州东微半导体股份有限公司位于江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室，此次公开的专利展示了公司在半导体技术领域的创新能力。

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