天眼查App显示，合肥晶合集成电路股份有限公司于2024年12月4日公开了一项重要的发明专利，专利名称为“半导体结构及其制备方法”，专利号为CN202411766745.9。该专利由朱小锋发明，华进联合专利商标代理有限公司代理。

该专利涉及一种半导体结构及其制备方法，主要包括提供衬底、形成第一介质层、形成第一通孔、形成牺牲层、形成第二介质层、形成第二通孔以及去除牺牲层等步骤。通过两步通孔形成刻蚀通孔，该技术有效防止了现有技术中由于高深宽比和刻蚀的微负载效应而出现的通孔底部没打开或者通孔内导线的电阻偏大的问题。

该专利的意想不到的效果是确保通孔底部被完全打开，降低通孔内导线的电阻，避免形成寄生电容，从而提高器件的性能。这一创新技术有望在半导体制造领域带来显著的技术进步和应用前景。

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