天眼查App显示，紫光同芯微电子有限公司于2024年9月27日申请了一项名为“一种SGT器件及其制备方法”的发明专利，并于2024年12月31日正式公开。该专利由姜鹏、王伟、葛孝昊和郭依腾共同发明，涉及基本电气元件领域。

该专利的制备方法包括在衬底上形成外延层，并在外延层的第一表面形成至少一个第一沟槽。随后，在第一沟槽的侧壁形成保护层，并在每一第一沟槽内形成第二沟槽。第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度，沿第一方向垂直于衬底指向外延层的方向。最后，在第二沟槽内形成第一栅极结构，去除保护层，并在第一沟槽内形成第二栅极结构。

该技术通过优化器件的雪崩特性，显著提高了器件的承压能力，有望在电子器件领域带来新的突破。紫光同芯微电子有限公司表示，该技术的应用将进一步提升电子产品的性能和可靠性。

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