天眼查App显示，近日，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司与中芯国际集成电路制造（上海）有限公司联合申请的一项名为“半导体结构及其形成方法”的发明专利正式公开，专利号为CN202310779118.8。该专利涉及一种新型半导体结构，旨在提升闪存器件的性能稳定性。

根据专利摘要，该半导体结构包括衬底，衬底分为存储区和逻辑区。存储区上设有相互分立且成对存在的存储栅结构，成对的存储栅结构之间具有第一开口，暴露出至少部分浮栅的侧壁表面。浮栅内设有离子掺杂区，第一开口暴露出该离子掺杂区。此外，第一开口暴露出的浮栅表面以及控制栅表面还设有隧穿介质层，逻辑区表面则设有栅极氧化层。

该专利通过优化存储区与逻辑区的结构设计，有效减少了逻辑运算器件的氧化工艺对闪存器件的影响，减少了结构缺陷，从而提升了闪存器件的性能稳定性。这一技术突破有望为未来半导体器件的设计与制造提供新的思路。

据悉，该专利的公开日期为2024年12月31日，目前处于公开状态。中芯国际作为国内领先的集成电路制造企业，此次专利的公开进一步彰显了其在半导体技术领域的创新能力。

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