天眼查App显示，近日，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司和上海有限公司联合公开了一项名为“半导体结构及形成方法”的发明专利，专利号为CN202310781088.4。该专利涉及一种新型半导体结构及其形成方法，旨在通过优化晶圆键合技术，提升半导体器件的整体性能。

根据专利摘要，该半导体结构包括第一晶圆和第二晶圆，两者通过键合面相互连接。第一晶圆和第二晶圆的键合面上分别设有键合标记，且晶圆的边缘侧壁具有定位缺口。通过精确对准键合标记，并确保定位缺口的投影不重叠，该技术能够有效减少键合过程中的误差，从而提高半导体结构的可靠性和性能。

中芯国际作为中国领先的半导体制造企业，一直致力于技术创新和工艺优化。此次公开的专利不仅展示了公司在半导体制造领域的技术实力，也为未来半导体器件的性能提升提供了新的解决方案。

该专利预计将于2024年12月31日正式公布，届时将进一步推动半导体行业的技术进步。

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