天眼查App显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司及中芯国际集成电路制造（上海）有限公司联合申请了一项名为“GOI测试结构”的发明专利，该专利已于2023年6月28日公布，预计将于2024年12月31日正式公开。

该专利涉及一种新型的GOI（Gate Oxide Integrity，栅氧化层完整性）测试结构，主要用于集成电路制造过程中的质量检测。专利的核心技术在于其独特的栅极结构设计，该结构仅覆盖基底有源区的一部分，从而在测试时能够更准确地评估栅介质层的完整性。

专利摘要显示，该测试结构包括基底和栅极结构，栅极结构覆盖基底有源区的部分区域，并作为第一测试端。在栅极结构暴露的基底中设有拾取端，作为第二测试端。通过这种设计，测试电流可以在同一有源区的基底中流动，避免了浅槽隔离结构对测试结果的影响，从而提高了测试的可靠性。

该专利的发明人牛刚、赵晓东和于涛表示，这一技术突破将有助于提升集成电路制造过程中的质量控制，减少因测试误差导致的产品缺陷。

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