天眼查App显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司与中芯国际集成电路制造（上海）有限公司联合申请的一项发明专利“半导体结构及其形成方法”于2023年6月29日正式公开。该专利的核心创新在于对准标记层的设计，其透光率低于基底和覆盖层，从而在覆盖层下仍能清晰识别对准标记层。

该专利的发明人包括宋孟夏、陈楠、马德敬和朱娜。专利技术通过优化对准标记层的尺寸、形貌和位置精度，确保其在覆盖层厚度变化时仍能保持高精度，进而提升后续图形化制程中的光学对准精度。这一技术突破不仅提高了半导体结构的性能，还为半导体制造工艺的进一步优化提供了新的可能性。

中芯国际作为中国领先的半导体制造企业，此次专利的公开再次展示了其在技术创新方面的实力。该专利的推广应用有望为半导体行业带来新的技术突破，推动整个行业的技术进步。

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