天眼查App显示，近日，华北电力科学研究院有限责任公司与国家电网有限公司共同研发的“基于关断过程栅极电压的IGBT缺陷定位方法及系统”正式获得发明专利，专利号为CN202411756978.0。该技术旨在通过分析IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在关断过程中的栅极电压变化，实现对内部缺陷的精准定位。

该技术的核心在于获取目标IGBT的芯片总数和检测数据，包括在关断过程的栅极电压下降阶段的正常栅极电压、实际栅极电压、第一正常时长、第一实际时长，以及在米勒平台阶段的第二正常时长和第二实际时长。通过对比这些数据，系统能够准确判断IGBT内部是否存在缺陷，并确定缺陷的具体位置。

据研发团队介绍，该技术的应用将极大提升IGBT的维护效率，减少因设备故障导致的电力系统中断。目前，该技术已进入公开阶段，预计将在2024年底正式投入使用。

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