天眼查App显示，拉普拉斯新能源科技股份有限公司于2024年9月23日申请了一项名为“半隧穿背接触电池及其制备方法”的发明专利，并于2024年12月31日正式公开。该专利涉及一种新型太阳能电池技术，通过独特的结构设计和制备工艺，旨在提高电池的效率和性能。

根据专利摘要，该半隧穿背接触电池包括硅基底、第一极性区和第二极性区。硅基底具有相对的正面和背面，第一极性区位于硅基底的背面，包括隧穿氧化层和掺杂有硼原子的第一硅层。第二极性区设于硅基底内，与第一极性区间隔排布。硅基底的背面中第一极性区所在的区域为抛光面，第二极性区所在的区域为绒面。

该专利的发明团队由梁笑、秦宇凡、范伟、毛文龙、熊贤明和林佳继组成，他们通过创新的技术手段，解决了传统太阳能电池在效率和性能上的瓶颈问题。该技术的应用有望推动太阳能电池行业的发展，为可再生能源领域带来新的突破。

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