据韩媒the bell报道，三星电子正计划启动采用常规结构的1e nm制程DRAM研发。这一举措旨在实现先进内存开发的多轨化，为未来可能的商业化提供更丰富的技术储备。

结合三星前任存储器业务负责人李祯培今年9月展示的路线图以及《韩国经济日报》10月的报道，三星电子原计划在2026年推出1d nm内存，随后于2027年推出基于4F² VCT创新结构的0a nm内存。然而，韩媒表示1e nm DRAM有望于2028年推出，若其最终走向商业化，则4F² VCT DRAM的量产预计将至少延至2029年。

4F² VCT DRAM的优势在于其DRAM单元更为小巧，且能更有效利用垂直方向空间。然而，这也意味着其生产流程将引入大量新技术和新设备，大幅提升资本支出和生产成本。相比之下，延续传统结构的1e nm DRAM具有明显的成本优势。

内部消息人士透露，在经历缩小HBM开发团队规模导致未能在HBM市场占据有利地位的重大战略错误后，三星内部忽视非主要产品技术开发的氛围已有很大改善。这一变化推动了1e nm DRAM等“备选技术”的发展。