美国商务部于12月20日正式宣布，根据《CHIPS》法案激励计划，向三星电子提供的直接资金补贴从今年4月初步条款备忘录中的64亿美元减少至47.45亿美元，降幅超过四分之一。这一变化直接影响了三星在美半导体领域的投资计划。

根据IT之家对比两份文件，三星电子承诺的在美半导体领域投资规模从4月的“超过400亿美元”降至12月的“超过370亿美元”。同时，项目细节也进行了相应调整。三星原计划在得克萨斯州泰勒市建设一座生产3D HBM和2.5D封装的先进封装设施，但在最终协议中删去了相关内容。此外，三星位于泰勒市的两座先进制程工厂原本计划专注量产4nm、2nm制程技术，但最终协议仅提及了2nm。

这一调整也导致相关项目可提供的高薪制造业工作岗位和建筑工作机会从4500多个和超17000个降低到了3500多个和约12000个。三星在美先进制程产能将重点关注下一代尖端节点，而非目前已趋近成熟稳定的4nm。同时，三星也暂时搁置了在美提供先进制程与先进封装“一站式”服务的计划。

三星新任foundry负责人韩真晚曾表示，该部门目前最关键的任务是实现2nm产能的快速爬坡。更优秀的工艺质量也有助于三星泰勒厂2nm赢得美国本土Fabless设计企业的青睐。