三星电子加速晶圆代工产能扩张 平泽P3工厂生产线计划Q4量产

5月12日消息,据外媒报道,在7nm、5nm制程工艺的量产上接连滞后于台积电的三星电子,在3nm制程工艺上终于拔得头筹,量产时间较台积电早了近半年。

而从外媒的报道来看,3nm制程工艺率先量产的三星电子,在加速晶圆代工产能扩张方面的投资。

外媒在报道中表示,即使在全球半导体市场不景气的大背景下,三星电子也在集中精力投资尖端代工设施,今年一季度他们在半导体生产设施上的投资就达到了9.8万亿韩元,同比增长24%,用在晶圆代工上的部分,据说也不低。

三星电子在芯片制程工艺上虽然处在行业前列,但在芯片领域,他们是以存储芯片见长,在NAND闪存和DRAM方面的市场份额均靠前,存储芯片在他们半导体营收中所占的比例也在60-70%。

去年下半年开始的芯片需求下滑,也对三星电子造成了影响,存储芯片业务的营收已连续三个季度同比环比大幅下滑,所在的设备解决方案部门的营收及营业利润也均有下滑,今年一季度更是出现了4.58万亿韩元的营业亏损。

业界人士透露,存储芯片需求下滑,在4月份已宣布减产的三星电子,也在放缓存储芯片产能的扩张,但晶圆代工方面的投资却在加速进行。

外媒在报道中还提到,业务人士透露,三星电子在加速平泽P3工厂新晶圆代工生产线的扩张,计划在几年四季度量产,也有报道称最快计划在5月份开始试运行。

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