全球第二大半导体存储供应商，韩国 SK 海力士半导体近日宣布投资 3.16 万亿韩元（合 26 亿美元）提升存储芯片产能，来满足智能手机、电脑等设备对更大存储容量的需求。

这笔投资中，有 2.21 万亿韩元会被用来在首尔南部城市清州建设一个新的闪存（NAND flash）芯片工厂，这些芯片主要是供应给存储容量越来越大的智能手机产品。

剩下的 9500 亿韩元则会用来在中国无锡开一个新的 DRAM 工厂，也就是我们平常所说的手机内存（RAM）。

2015 年，SK 海力士号称总共投入了 46 万亿韩元来扩大存储芯片产能。

而 3D NAND 则在垂直方向上拓展，将原本的平面排布进行堆叠。

根据颗粒的种类和堆叠层数，目前 3D NAND 又分为 32、48、64 层 TLC/MLC 颗粒。

按照 SK 海力士的技术路线图，这家公司 2017 年会推出 72 层的 3D NAND 闪存颗粒，以满足更高的读写速率和更大的存储容量。

市场研究机构 TrendForce 的最新研究报告显示，不少闪存颗粒原厂已经削减了 2017 年 j2D NAND 的产能，全球 NAND 晶片整体产能提升预计只有 6%。

继续使用 2D NAND 闪存的手机厂商可能会面临全年缺货的局面。

来源：好奇心日报

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